台積電與工研院合作開發新陣列晶片　高速低功耗僅STT-MRAM百分之一

工研院17日宣布，在經濟部科專計畫補助之下，工研院與台積電合作研發出的用在記憶體運算的「自旋軌道轉矩磁性記憶體（SOT-MRAM）陣列晶片」，搭配創新的運作架構，可達到低功耗、10奈秒高速工作，未來將可應用在高效能運算和AI、車用晶片。

AI、5G、AIoT的應用發展需要快速運算大量資料，因此追求使用速度更快、效能更穩定、更低功耗的記憶體。工研院表示，這項研發成果的論文，2023年12月已在全球微電子元件領域頂尖會議的「國際電子元件會議（IEDM）」中發表。

工研院指出，自旋軌道轉矩磁性記憶體陣列晶片的功耗，僅為自旋轉移力矩式記憶體（STT-MRAM）的1/100，工研院電子與光電系統研究所所長張世杰表示，這項研發成果已跳脫以往磁性隨機存取記憶體（MRAM）的應用情境，結合電路設計完成記憶體內運算技術可提升運算效能，未來使用範圍將更為廣泛。